CEA-Leti 今日宣布在高性能计算（HPC）、高级智能视觉系统及人工智能（AI）的 3D 集成技术演进中取得重大里程碑——成功展示了一款采用晶片到晶圆（D2W）混合键合技术、键合间距低至 1 μm 的功能测试载具。该研究成果已在 2026 年电子元件与技术会议（ECTC）上发表。
随着摩尔定律逐步逼近物理极限，半导体行业愈发依赖 3D 堆叠技术来提升性能与能效。这种 D2W 技术直击 AI 加速器设计中的关键瓶颈：互连密度与带宽。通过以超细间距垂直堆叠器件层，该技术缩短了互连路径，在显著提升数据传输速度的同时降低了功耗。
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原文链接：CEA-Leti Presents Die-to-Wafer Hybrid Bonding at 1 μm Pitch
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