三星正在稳步推进其打造 1000 层 NAND Flash 存储模块的目标。然而，随着制造复杂度的提升，该公司无法通过单一芯片实现这一目标。为此，三星转向先进封装解决方案，将两块 450 层 V-NAND 模块堆叠成一块 900 层 V-NAND 芯片。据率先报道这一制造进展的 ET News 消息，三星采用了 Cell Multi-Bonding (CMB)技术，这是一种通过混合键合实现的晶圆堆叠变体。该工艺利用嵌入的金属凸点将两片硅芯片永久键合，融合成单一芯片。多个裸片——在三星的情形下，是多片完整硅晶圆——可以通过将两个芯片背面堆叠在一起实现连接。三星自有的 CMB 工艺为 2030 年前实现 1000 层 V-NAND 芯片铺平了道路。
去年初，三星发布了第十代 V-NAND 技术，实现了单一模块超过 400 层。该公司还首次引入了混合键合技术，并表明该技术此后得到了改进。有趣的是，在已有厚度的 450 层设计上进行晶圆键合由于晶圆翘曲而颇具挑战。幸运的是，三星开发了微观吸盘来解决这一问题，同时配合新的键合技术，以纠正晶圆键合时的覆盖问题和对准误差。在 NAND 内部，三星创建了新的位线和字线结构，以帮助管理功耗并保持合理的单个芯片尺寸。
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原文链接：Samsung Stacks Two 450-Layer NAND Chips Into a 900-Layer V-NAND
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