TetraMem Inc.，一家总部位于硅谷、专注于模拟存内计算（IMC）解决方案的半导体公司，今日宣布其 MLX200 平台成功完成流片、制造及初步硅验证。该平台是一款基于 22 nm 多级 RRAM 的模拟 IMC 片上系统（SoC）。
这一成就标志着基于新兴非易失性存储技术的模拟计算架构向商业化迈出了重要一步，该架构正在应对现代 AI 系统中日益突出的数据搬运、功耗和散热瓶颈问题。
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原文链接：TetraMem Announces 22nm Multi-Level RRAM Analog In-Memory Computing SoC Milestone
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