Intel 与 SoftBank 通过其 子公司 Saimemory 正在开发一种替代主流高带宽内存（HBM）的新技术，旨在为用于强大 AI 加速器的内存模块提供更高的带宽和容量。在 2026 年 6 月的 VLSI 2026 会议上，Saimemory 计划发表一篇关于新研发的 HB3DM 内存的论文，该内存基于 Z-Angle Memory（ZAM）技术。这一名称指的是芯片的垂直（Z 轴）堆叠方式，与传统 HBM 类似。然而，Intel 的目标是利用最先进的制造技术实现令人瞩目的成果。第一代 HB3DM 将总共包含 9 层，采用混合键合技术进行 3D 芯片堆叠。底层将是一个负责管理芯片内数据传输的逻辑层，上方堆叠 8 层 DRAM 用于数据存储。每层将包含约 13,700 个用于混合键合的 TSV。
在容量方面，HB3DM 每层可提供约 1.125 GB，换算下来每个内存模组为 10 GB。英特尔每平方毫米可实现约 0.25 Tb/s 的内存带宽，对于一颗核心面积为 171 mm² 的 10 GB 模组，我们预计每模组带宽可达约 5.3 TB/s。这些惊人的数据将迅速压制竞品 HBM4 内存，因为 HB3DM 提供了高得多的带宽。HBM4 每堆栈速度约为 2 TB/s，不到 HB3DM 的一半。不过，HB3DM 受限于容量，仅提供 10 GB，而 HBM4 每堆栈最高可达 48 GB。随着 HB3DM 技术的推进，英特尔可能会在生产中增加层数，但就目前而言，它已成为带宽领域的领跑者。
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原文链接：Intel Prepares HBM Killer: HB3DM Memory Stacks with Z-Angle Technology
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