英特尔下一代 18A 制程节点已准备就绪，该公司已对其进行测试，并展示了令人瞩目的成果。在夏威夷火奴鲁鲁举办的 VLSI 2026 研讨会上，英特尔将公布其对即将推出的 18A-P 节点能力的新研究成果。根据论文数据，与标准 18A 节点相比，18A-P 节点可在同等功耗下实现 9%的性能提升，或在同等性能水平下实现 18%的功耗节省。然而，这背后还有更多细节值得关注。通常，不同代际的制程节点会展现出类似的性能和功耗改进幅度。从 18A 过渡到 14A 时预期的功耗与性能提升，如今在 18A-P 节点上即可实现，但并未带来密度方面的改善。这使得 18A-P 节点对外部客户极具吸引力——他们既能获得"Panther Lake"所采用的 18A 节点晶体管密度，又能拥有显著更优的特性。
对于参考设计，英特尔使用一个 Arm 核心子模块来测试频率和功耗缩放。全新 18A-P 工艺节点在纸面上能带来显著更优的结果，但最值得关注的改进之一在于制造环节，具体涉及所谓的"工艺角"（skew corners）。由于制造工艺本身的物理特性（尤其是在如今的尺度下），同一工艺节点生产出的晶体管不可能完全一致。这些差异通过"快角"和"慢角"来测量——分别对应速度更快和更慢的晶体管。而"偏斜"则衡量这些晶体管之间性能与功耗差距的宽度。相比标准 18A 工艺，英特尔成功将 18A-P 节点的工艺角偏差改善了 30%，这意味着功耗和性能特性变得更具可预测性，尤其在参数良率方面。换言之，芯片功能如今更加稳定，新工艺节点带来的变异情况大幅减少，英特尔需要处理的偏差问题也少得多。
以下是 Intel 关于 18A-P 节点的论文摘要。阅读全文
原文链接：Intel 18A-P Node Delivers 9% Performance Increase and 18% Power Savings
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