昨日，台积电在北美技术研讨会上公布了最新的 A13 节点技术预览，展示了该公司正在推进的研发成果。不过，最重磅的消息并非新节点本身，而是其背后的技术路线。台积电宣布将沿用 ASML 更成熟的 Low-NA EUV 光刻机，而非成本更高的 High-NA EUV 扫描仪。由于 High-NA EUV 扫描仪单台售价高达约 3.5 亿欧元（4.1 亿美元），建设一座现代化工厂所需的资本支出极为庞大。台积电表示，凭借现有成本约为 High-NA 机型一半的 Low-NA EUV 技术，依然能够维持竞争优势。台积电副联席首席运营官兼资深副总裁 Kevin Zhang 向路透社指出："我认为这正是我们研发团队的卓越之处——在充分利用现有 EUV 技术的同时，制定出激进的制程技术扩展路线图。这无疑是我们的核心优势。"
TSMC 采用的低数值孔径极紫外（Low-NA EUV）光刻技术涉及一种名为多重图案化（multi-patterning）的工艺，即 EUV 设备需多次扫描才能在同一层上蚀刻出设计图形。通过执行两次 Low-NA 蚀刻流程，TSMC 能够获得与高数值孔径（High-NA）曝光相近的收益，从而有效减少对新设备的依赖。不过，Low-NA 多重图案化技术存在固有局限，后续需引入 High-NA 系统加以解决——但仅限 1 nm 及以下节点。就现阶段及近期节点而言，TSMC 已找到一条途径，可在远低于 High-NA 系统的资本支出下，充分挖掘现有 Low-NA 系统的性能潜力。
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原文链接：TSMC Says Low-NA EUV Will Carry It Further, Delaying High-NA Adoption
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